采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60F-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：405W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2035pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@20A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：640}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60F-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：405W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2035pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@20A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60F-F085
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FCB20N60F-F085
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类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@20A，10V
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阈值电压：5V@250µA
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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导通电阻：195mΩ@20A，10V
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功率：405W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
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输入电容：2035pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@20A，10V
漏源电压：600V
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ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2035pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@20A，10V
漏源电压：600V
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连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@20A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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