采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R041CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.24mA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4975pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@24.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：42.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R041CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.24mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4975pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@24.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：42.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7101DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3595pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB033N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4.1V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：42.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：42.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R041CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.24mA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4975pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@24.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP8NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.85Ω@3.15A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7101DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3595pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R041CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.24mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4975pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@24.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：42.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7101DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3595pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：42.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：42.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH94N30P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1040W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5510pF@25V
连续漏极电流：94A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@47A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH101DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3595pF@15V
连续漏极电流：16.9A€35A
类型：P沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH101DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3595pF@15V
连续漏极电流：16.9A€35A
类型：P沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP8NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.85Ω@3.15A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH101DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3595pF@15V
连续漏极电流：16.9A€35A
类型：P沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R041CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.24mA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4975pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@24.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7101DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3595pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7101DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3595pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU90N06A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5170pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB033N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4.1V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP8NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.85Ω@3.15A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH101DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3595pF@15V
连续漏极电流：16.9A€35A
类型：P沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB033N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4.1V@150µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH101DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3595pF@15V
连续漏极电流：16.9A€35A
类型：P沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
