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    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C454NT4G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C454NT4G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C454NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    阈值电压:4V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:19A€82A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI70N04S406AKSA1 起订499个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI70N04S406AKSA1 起订499个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":480,"20+":2500,"22+":2000,"MI+":500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPI70N04S406AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:4V@26µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2550pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@70A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD75N04S406ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD75N04S406ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD75N04S406ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:4V@26µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@75A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C442NT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C442NT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C442NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:29A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C442NAFT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C442NAFT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C442NAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:29A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18503Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€120W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2640pF@20V

    连续漏极电流:19A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT060N04D3 起订5000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT060N04D3 起订5000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT060N04D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:24W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1282pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ028N04LSATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ028N04LSATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ028N04LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€63W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:21A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD75N04S406ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD75N04S406ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD75N04S406ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:4V@26µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@75A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC026N04LSATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC026N04LSATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC026N04LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€63W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:23A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP70N04S406AKSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP70N04S406AKSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":11530,"18+":45000,"19+":1860,"MI+":1000}

    包装规格(MPQ):304psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP70N04S406AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:4V@26µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:2550pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@70A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18503Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€120W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2640pF@20V

    连续漏极电流:19A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18503Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€120W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2640pF@20V

    连续漏极电流:19A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ028N04LSATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ028N04LSATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":10860}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ028N04LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€63W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:21A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18503Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€120W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2640pF@20V

    连续漏极电流:19A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP70N04S406AKSA1 起订365个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP70N04S406AKSA1 起订365个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":11530,"18+":45000,"19+":1860,"MI+":1000}

    包装规格(MPQ):304psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP70N04S406AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:4V@26µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:2550pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@70A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP70N04S406AKSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP70N04S406AKSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":11530,"18+":45000,"19+":1860,"MI+":1000}

    包装规格(MPQ):304psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP70N04S406AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:4V@26µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:2550pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@70A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD75N04S406ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD75N04S406ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD75N04S406ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:4V@26µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@75A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB70N04S406ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB70N04S406ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB70N04S406ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:4V@26µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@70A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18503Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€120W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2640pF@20V

    连续漏极电流:19A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB70N04S406ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB70N04S406ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB70N04S406ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:4V@26µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@70A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB70N04S406ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB70N04S406ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB70N04S406ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:4V@26µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@70A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ028N04LSATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ028N04LSATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ028N04LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€63W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:21A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C442NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C442NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C442NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:29A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ028N04LSATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ028N04LSATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ028N04LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€63W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:21A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18503Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€120W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2640pF@20V

    连续漏极电流:19A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18503Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€120W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2640pF@20V

    连续漏极电流:19A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R3-40MSHX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R3-40MSHX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R3-40MSHX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.338nF@25V

    连续漏极电流:95A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD75N04S406ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD75N04S406ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD75N04S406ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:4V@26µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@75A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R3-40MSHX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R3-40MSHX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R3-40MSHX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3.6V@1mA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.338nF@25V

    连续漏极电流:95A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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