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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD180N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1080pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@9,5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08N50C3ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08N50C3ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.9V@350µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP15N80K5 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP15N80K5 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP15N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:375mΩ@7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8325TRPBF 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8325TRPBF 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH8325TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€54W

    阈值电压:2.35V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2487pF@10V

    连续漏极电流:21A€82A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD186N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD186N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD186N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1118pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:201mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@30V

    连续漏极电流:17.4A€65.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0902NSIATMA1 起订882个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0902NSIATMA1 起订882个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":15000,"9999":11,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0902NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€48W

    阈值电压:2V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:23A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR184DP-T1-RE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR184DP-T1-RE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR184DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@30V

    连续漏极电流:20.7A€73A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0902NSIATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0902NSIATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0902NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€48W

    阈值电压:2V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:23A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH114ADN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH114ADN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH114ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1230pF@15V

    连续漏极电流:18A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6.25W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4436DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08N50C3ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08N50C3ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.9V@350µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSP32314 起订3个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSP32314 起订3个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP32314

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1420pF@15V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8325TRPBF 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8325TRPBF 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH8325TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€54W

    阈值电压:2.35V@50µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2487pF@10V

    连续漏极电流:21A€82A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD186N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD186N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD186N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1118pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:201mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0902NSIATMA1 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0902NSIATMA1 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0902NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€48W

    阈值电压:2V@10mA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:23A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF15N80K5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STF15N80K5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF15N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:375mΩ@7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18503Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€120W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2640pF@20V

    连续漏极电流:19A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4111PT1G 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4111PT1G 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS4111PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R420CFDATMA1 起订447个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R420CFDATMA1 起订447个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":1951,"14+":6148,"15+":19000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R420CFDATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83.3W

    阈值电压:4.5V@340µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@100V

    连续漏极电流:8.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:420mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD4N80E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD4N80E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD4N80E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:622pF@100V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.27Ω@2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT060N04D3 起订5000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT060N04D3 起订5000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT060N04D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:24W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1282pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6.25W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4436DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R380C6ATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R380C6ATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R380C6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@320µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@100V

    连续漏极电流:10.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5690 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5690 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5690

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ028N04LSATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ028N04LSATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ028N04LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€63W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:21A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI60R380C6XKSA1 起订313个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI60R380C6XKSA1 起订313个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":940}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPI60R380C6XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@320µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@100V

    连续漏极电流:10.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS126DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS126DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS126DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1402pF@40V

    连续漏极电流:12A€45.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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