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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN6N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@100V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
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功率：2.1W
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输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
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连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
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连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
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栅极电荷：6.2nC@10V
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输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
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导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：STN6N60M2
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功率：6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@100V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@2A，10V
漏源电压：600V
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功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@10V
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输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
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功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@10V
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连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
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连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
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功率：2.1W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
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类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：2.1W
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类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
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功率：2.1W
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类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
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库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN6N60M2
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功率：6W
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栅极电荷：6.2nC@10V
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输入电容：220pF@100V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3467}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6002DPH-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：6.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3467}
销售单位：个
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栅极电荷：6.2nC@10V
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输入电容：165pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：6.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
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类型：N沟道
连续漏极电流：200mA
栅极电荷：6.2nC@10V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：200mA
栅极电荷：6.2nC@10V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"19+"：3467}
规格型号(MPN)：RJK6002DPH-E0#T2
导通电阻：6.8Ω@1A，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@25V
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
栅极电荷：6.2nC@10V
功率：30W
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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