采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：14.4A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC22DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4V@13µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@3.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：2057}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6431-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：14.4A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC22DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@3.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L045GNGZETB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：19895}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1439-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：6669，"14+"：2040，"15+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHT6N06T，135
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.3W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@5A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN13H750S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2A，10V
漏源电压：130V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3899，"23+"：4444}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC22DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@3.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN13H750S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2A，10V
漏源电压：130V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC22DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@3.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L045GNGZETB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN13H750S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2A，10V
漏源电压：130V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：14.4A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN13H750S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2A，10V
漏源电压：130V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L045GNGZETB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@50µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L045GNGZETB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@50µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L045GNGZETB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC22DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@3.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN13H750S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2A，10V
漏源电压：130V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10000，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC22DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@3.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L045GNGZETB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC22DN20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@3.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
