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    栅极电荷: 60nC@10V
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:1300+
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    IXYS Mosfet场效应管 IXTA80N10T 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA80N10T 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTA80N10T

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:230W

    阈值电压:5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3040pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5802DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5802DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR5802DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3020pF@40V

    连续漏极电流:33.6A€137.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3878(STA1,E,S) 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3878(STA1,E,S) 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3878(STA1,E,S)

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:2.2nF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:190pF@25V

    导通电阻:1Ω@10V,4A

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPC40PBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPC40PBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPC40PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@4.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7528 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7528 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7528

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€83W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2895pF@15V

    连续漏极电流:45A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S4L04ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4411pF@50V

    连续漏极电流:19.5A€131A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@48A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40STRLPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40STRLPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBC40STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€130W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40STRLPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40STRLPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBC40STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€130W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD32N06-1G 起订1336个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD32N06-1G 起订1336个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":3175}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD32N06-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€93.75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1725pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7528 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7528 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7528

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€83W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2895pF@15V

    连续漏极电流:45A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDA24N40F 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDA24N40F 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA24N40F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:235W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3030pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENJTL 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENJTL 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8896 起订5个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8896 起订5个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):692psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:2525pF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8321LDC 起订329个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8321LDC 起订329个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5158,"23+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8321LDC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€56W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3965pF@20V

    连续漏极电流:27A€108A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@27A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP110N10F7 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP110N10F7 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP110N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5500pF@50V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订2个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订2个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA08N80C3XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA08N80C3XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPA08N80C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:3.9V@470µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020FNJTL 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020FNJTL 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020FNJTL

    工作温度:150℃

    功率:304W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8896 起订833个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8896 起订833个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":10958,"05+":127926,"06+":234436,"08+":11,"10+":504,"11+":6007,"12+":8548,"13+":363,"15+":117,"MI+":462223}

    包装规格(MPQ):692psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:2525pF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RCJ220N25TL 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 RCJ220N25TL 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RCJ220N25TL

    工作温度:150℃

    功率:1.56W€40W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S4L04ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S4L04ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90N04S4L04ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@35µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4690pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB11N60C3ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB11N60C3ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPB11N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.9V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP26NM60N

    工作温度:150℃

    功率:140W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3878(STA1,E,S) 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3878(STA1,E,S) 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3878(STA1,E,S)

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:2.2nF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:190pF@25V

    导通电阻:1Ω@10V,4A

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4411pF@50V

    连续漏极电流:19.5A€131A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@48A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40SPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40SPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBC40SPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€130W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR48ZTRPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR48ZTRPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR48ZTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:4V@50µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@37A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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