品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR5802DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3020pF@40V
连续漏极电流:33.6A€137.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7528
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€83W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2895pF@15V
连续漏极电流:45A€50A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4411pF@50V
连续漏极电流:19.5A€131A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@48A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC40STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€130W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC40STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€130W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7528
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€83W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2895pF@15V
连续漏极电流:45A€50A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5158,"23+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8321LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€56W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3965pF@20V
连续漏极电流:27A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020FNJTL
工作温度:150℃
功率:304W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RCJ220N25TL
工作温度:150℃
功率:1.56W€40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB11N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.9V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4411pF@50V
连续漏极电流:19.5A€131A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@48A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR48ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1720pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@37A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB55NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@27.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR5802DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3020pF@40V
连续漏极电流:33.6A€137.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5435pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB11N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.9V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7422G
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@15V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2400}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB10N50CFTM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:143W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2210pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4296
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@50V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@13.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N08-16-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1960pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@40A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5158,"23+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8321LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€56W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3965pF@20V
连续漏极电流:27A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: