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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4062DY-T1-GE3
功率：7.8W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3175pF@30V
连续漏极电流：32.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4062DY-T1-GE3
功率：7.8W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3175pF@30V
连续漏极电流：32.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4062DY-T1-GE3
功率：7.8W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3175pF@30V
连续漏极电流：32.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4062DY-T1-GE3
功率：7.8W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3175pF@30V
连续漏极电流：32.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR890DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€50W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2747pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4062DY-T1-GE3
功率：7.8W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3175pF@30V
连续漏极电流：32.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4062DY-T1-GE3
功率：7.8W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3175pF@30V
连续漏极电流：32.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR890DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€50W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2747pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR890DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€50W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2747pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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