采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：3175}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD32N06-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€93.75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1725pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7422G
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7422G
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AON7422G
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AON7422G
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7422G
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7422G
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7422G
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：3175}
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包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：NTD32N06-1G
栅极电荷：60nC@10V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：26mΩ@16A，10V
包装方式：管件
功率：1.5W€93.75W
阈值电压：4V@250µA
输入电容：1725pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：3175}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD32N06-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€93.75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1725pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD32N06-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€93.75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1725pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7422G
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：NTD32N06-1G
栅极电荷：60nC@10V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：26mΩ@16A，10V
包装方式：管件
功率：1.5W€93.75W
阈值电压：4V@250µA
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包装清单：商品主体 * 1
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