采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：3175}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD32N06-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€93.75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1725pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB55NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R506PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5435pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@30A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD35NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP55NF06FP
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP55NF06
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4062DY-T1-GE3
功率：7.8W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3175pF@30V
连续漏极电流：32.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4062DY-T1-GE3
功率：7.8W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3175pF@30V
连续漏极电流：32.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP55NF06
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP55NF06
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44EPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1360pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP55NF06
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT66616L
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.3W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2870pF@30V
连续漏极电流：38.5A€140A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT66616L
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.3W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2870pF@30V
连续漏极电流：38.5A€140A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK60S06K3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：88W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R506PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5435pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@30A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT66616L
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.3W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2870pF@30V
连续漏极电流：38.5A€140A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF66616L
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.3W€30W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2870pF@30V
连续漏极电流：38A€72.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP55NF06FP
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK60S06K3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：88W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R506PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5435pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@30A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB66616L
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.3W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2870pF@30V
连续漏极电流：38.5A€140A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK60S06K3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：88W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R506PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5435pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@30A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK60S06K3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：88W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK60S06K3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：88W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB66616L
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.3W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2870pF@30V
连续漏极电流：38.5A€140A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP55NF06FP
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB55NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD35NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
