品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08E6QTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS025N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€24W
阈值电压:2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.5A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C680NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€24W
阈值电压:2.2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS025N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€24W
阈值电压:2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.5A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":150000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU80R3K3P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:18W
阈值电压:3.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:120pF@500V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@590mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08GQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E080GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:16.7mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C680NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€24W
阈值电压:2.2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08E6QTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS025N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€24W
阈值电压:2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.5A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E080GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:16.7mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E080GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:16.7mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS025N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€24W
阈值电压:2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.5A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08E6QTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":160500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS020N06CTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:355pF@30V
连续漏极电流:7A€27A
类型:N沟道
导通电阻:20.3mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08E6QTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08E6QTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C680NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€24W
阈值电压:2.2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08E6QTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E080GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:16.7mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E080GNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:17.6mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86251
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@75V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@2.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C680NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€24W
阈值电压:2.2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: