品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD14N06S280ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:4V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:293pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@7A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2922
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€17W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@50V
连续漏极电流:3.5A€7A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K4P7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:3.5V@700μA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:250pF@500V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4Ω@10V,1.4A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6443-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@3A,10V
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDZ193P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOI4286
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:2.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:390pF@50V
连续漏极电流:4A€14A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2300DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@15V
连续漏极电流:3.1A€3.6A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ065N03LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€26W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@15V
连续漏极电流:12A€40A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K4P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:3.5V@700µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@500V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:15A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN95R2K0P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:7W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@400V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1.7A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-M-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD135N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTR4502PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€38W
阈值电压:2V@26µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:521pF@40V
连续漏极电流:7A€25A
类型:N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA416DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@50V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:83mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4034SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:453pF@20V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN5630
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y21-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:617pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6204
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€31W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@15V
连续漏极电流:14A€24A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2366DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@15V
连续漏极电流:4.5A€5.8A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2366DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@15V
连续漏极电流:4.5A€5.8A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R1K4P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:7W
阈值电压:3.5V@70µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@500V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU9N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:226pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: