品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD14N06S280ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:4V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:293pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@7A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2922
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€17W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@50V
连续漏极电流:3.5A€7A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOI4286
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:2.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:390pF@50V
连续漏极电流:4A€14A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:15A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD135N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€38W
阈值电压:2V@26µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:521pF@40V
连续漏极电流:7A€25A
类型:N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD14N06S280ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:4V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:293pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@7A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y21-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:617pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD444
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€20W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@30V
连续漏极电流:4A€12A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB147N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:14.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2325ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@50V
连续漏极电流:840mA
类型:P沟道
导通电阻:1.77Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2325ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@50V
连续漏极电流:840mA
类型:P沟道
导通电阻:1.77Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD135N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y21-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:617pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:15A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:15A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD444
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€20W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@30V
连续漏极电流:4A€12A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD135N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD444
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€20W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@30V
连续漏极电流:4A€12A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD444
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€20W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@30V
连续漏极电流:4A€12A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y21-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:617pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD444
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€20W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@30V
连续漏极电流:4A€12A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD14N06S280ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:4V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:293pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@7A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2325ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@50V
连续漏极电流:840mA
类型:P沟道
导通电阻:1.77Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y21-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:617pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD444
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€20W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@30V
连续漏极电流:4A€12A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB50ENEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.9W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:271pF@15V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@5.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD14N06S280ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:4V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:293pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@7A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€38W
阈值电压:2V@26µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:521pF@40V
连续漏极电流:7A€25A
类型:N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: