销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDZ193P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2300DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@15V
连续漏极电流:3.1A€3.6A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ065N03LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€26W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@15V
连续漏极电流:12A€40A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K4P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:3.5V@700µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@500V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN95R2K0P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:7W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@400V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1.7A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTR4502PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA416DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@50V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:83mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4034SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:453pF@20V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN5630
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6204
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€31W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@15V
连续漏极电流:14A€24A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2366DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@15V
连续漏极电流:4.5A€5.8A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2366DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@15V
连续漏极电流:4.5A€5.8A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R1K4P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:7W
阈值电压:3.5V@70µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@500V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU9N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:226pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4502PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA416DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@50V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:83mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2318CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON1634
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:245pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@1A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R1K4P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:7W
阈值电压:3.5V@70µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@500V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4502PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3405-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:417pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:73mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN95R2K0P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:7W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@400V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1.7A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4502PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1HNK60
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA416DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@50V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:83mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: