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品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：25828}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMT200EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@80V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMT200EN，135
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@80V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：16000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMT200EN，135
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@80V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：PMT200EN，135
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功率：800mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@80V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NXP
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输入电容：475pF@80V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
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功率：800mW€8.3W
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栅极电荷：10nC@10V
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输入电容：475pF@80V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
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功率：800mW€8.3W
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栅极电荷：10nC@10V
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输入电容：475pF@80V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：25828}
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规格型号(MPN)：PMT200EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€8.3W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@80V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
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品牌：NXP
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMT200EN，115
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：235mΩ@1.5A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：475pF@80V
连续漏极电流：1.8A
栅极电荷：10nC@10V
功率：800mW€8.3W
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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