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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4P7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：3.5V@700μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：250pF@500V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.4Ω@10V，1.4A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1002L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：413pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1002L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：413pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1002L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：413pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOI950A70
功率：56.5W
阈值电压：4.1V@250μA
漏源电压：700V
栅极电荷：10nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
连续漏极电流：5A
输入电容：461pF@100V
导通电阻：950mΩ@1A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4P7
输入电容：250pF@500V
栅极电荷：10nC@10V
连续漏极电流：4A
导通电阻：1.4Ω@10V，1.4A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：3.5V@700μA
漏源电压：800V
功率：32W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOI950A70
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56.5W
阈值电压：4.1V@250μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：461pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：950mΩ@1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN80R1K4P7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：7W
阈值电压：3.5V@70μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@500V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：276pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：43mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W
阈值电压：3.7V@250μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：8.5Ω@10V，500mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4P7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：3.5V@700μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：250pF@500V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.4Ω@10V，1.4A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4P7
输入电容：250pF@500V
栅极电荷：10nC@10V
连续漏极电流：4A
导通电阻：1.4Ω@10V，1.4A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：3.5V@700μA
漏源电压：800V
功率：32W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
连续漏极电流：3.9A
输入电容：540pF@20V
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
