采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C466NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€37W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：15A€49A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2325ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：840mA
类型：P沟道
导通电阻：1.77Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2325ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：840mA
类型：P沟道
导通电阻：1.77Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFS5C466NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€37W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：15A€49A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C466NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€37W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：15A€49A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2325ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：840mA
类型：P沟道
导通电阻：1.77Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2325ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：840mA
类型：P沟道
导通电阻：1.77Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ2325ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：840mA
类型：P沟道
导通电阻：1.77Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2325ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：840mA
类型：P沟道
导通电阻：1.77Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C466NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€37W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：15A€49A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2325ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：840mA
类型：P沟道
导通电阻：1.77Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ2325ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：840mA
类型：P沟道
导通电阻：1.77Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ2325ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：840mA
类型：P沟道
导通电阻：1.77Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2325ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：840mA
类型：P沟道
导通电阻：1.77Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ2325ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：840mA
类型：P沟道
导通电阻：1.77Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ2325ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：840mA
类型：P沟道
导通电阻：1.77Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2325ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：840mA
类型：P沟道
导通电阻：1.77Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2325ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：840mA
类型：P沟道
导通电阻：1.77Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2325ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：840mA
类型：P沟道
导通电阻：1.77Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C466NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€37W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：15A€49A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C466NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€37W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：15A€49A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C466NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€37W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：15A€49A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2325ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：840mA
类型：P沟道
导通电阻：1.77Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2325ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：840mA
类型：P沟道
导通电阻：1.77Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2325ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：840mA
类型：P沟道
导通电阻：1.77Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2325ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：840mA
类型：P沟道
导通电阻：1.77Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C466NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€37W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：15A€49A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C466NWFT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：15A€49A
类型：N沟道
功率：3.5W€37W
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：10nC@10V
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2325ES-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：1.77Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
连续漏极电流：840mA
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
栅极电荷：10nC@10V
类型：P沟道
输入电容：250pF@50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C466NWFT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：15A€49A
类型：N沟道
功率：3.5W€37W
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：10nC@10V
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
