采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6341-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6341-M-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6341-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E035ATTCL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E150GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€22.9W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E035ATTCL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E150GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€22.9W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E035ATTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E035ATTCL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E150GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€22.9W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E035ATTCL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E150GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€22.9W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E035ATTCL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€16W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E150GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€22.9W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€16W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2307CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：565pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6341-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6341-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6341-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€16W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6341-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E035ATTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E035ATTCL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6341-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E035ATTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E150GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€22.9W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2307CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：565pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E035ATTCL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6341-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
