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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4401EY-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4401EY-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4401EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.14W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4250pF@20V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0690N1507L 起订118个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0690N1507L 起订118个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":800,"23+":800}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB0690N1507L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8775pF@75V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@17A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP53P06-20-E3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP53P06-20-E3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP53P06-20-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€104.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:9.2A€53A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW11NK90Z 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STW11NK90Z 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW11NK90Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:980mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS3L110ATTB1 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS3L110ATTB1 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS3L110ATTB1

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6300pF@30V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM55P06-19L-E3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM55P06-19L-E3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM55P06-19L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM55P06-19L-E3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM55P06-19L-E3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM55P06-19L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS05DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS05DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4930pF@15V

    连续漏极电流:29.4A€108A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4401EY-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4401EY-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4401EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.14W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4250pF@20V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM55P06-19L-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM55P06-19L-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM55P06-19L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4401EY-T1_GE3 起订1250个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4401EY-T1_GE3 起订1250个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4401EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.14W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4250pF@20V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTL66518 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTL66518 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTL66518

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:3.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6460pF@75V

    连续漏极电流:214A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM55P06-19L-E3 起订1600个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM55P06-19L-E3 起订1600个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM55P06-19L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4401EY-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4401EY-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4401EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.14W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4250pF@20V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4401EY-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4401EY-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4401EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.14W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4250pF@20V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW11NK90Z 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STW11NK90Z 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW11NK90Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:980mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4401EY-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4401EY-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4401EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.14W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4250pF@20V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC120N04S6N009ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC120N04S6N009ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":122497}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC120N04S6N009ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7360pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.9mΩ@60A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS05DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS05DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4930pF@15V

    连续漏极电流:29.4A€108A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS05DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS05DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4930pF@15V

    连续漏极电流:29.4A€108A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS05DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS05DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4930pF@15V

    连续漏极电流:29.4A€108A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM55P06-19L-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM55P06-19L-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM55P06-19L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40131EL_GE3 起订4000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40131EL_GE3 起订4000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40131EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM55P06-19L-E3 起订200个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM55P06-19L-E3 起订200个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM55P06-19L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40131EL_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40131EL_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40131EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS05DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS05DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4930pF@15V

    连续漏极电流:29.4A€108A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS05DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS05DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4930pF@15V

    连续漏极电流:29.4A€108A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4401EY-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4401EY-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4401EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.14W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4250pF@20V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP53P06-20-E3 起订200个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP53P06-20-E3 起订200个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP53P06-20-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€104.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:9.2A€53A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS3L110ATTB1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS3L110ATTB1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS3L110ATTB1

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6300pF@30V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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