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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@4.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@4.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@4.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@4.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@4.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@4.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@4.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6008ANX
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：散装
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1K2A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@630µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：740pF@300V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
