采购热线 400-661-9010
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJPF11N65A-BP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HAT2201WP-EL-E
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：1.45nF@10V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：43mΩ@7.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT30N06L
工作温度：-55℃~+175℃
功率：44W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：66pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT20N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：44W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：66pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT30N06L
工作温度：-55℃~+175℃
功率：44W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：66pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJPF11N65-BP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：901pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT20N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：44W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：66pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT20N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：44W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：66pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT20N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：44W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：66pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJPF11N65A-BP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HAT2201WP-EL-E
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：1.45nF@10V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：43mΩ@7.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HAT2201WP-EL-E
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：1.45nF@10V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：43mΩ@7.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：1.8W€8.3W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：633pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJPF11N65A-BP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT20N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：44W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：66pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJPF11N65-BP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：901pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT30N06L
工作温度：-55℃~+175℃
功率：44W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：66pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT30N06L
工作温度：-55℃~+175℃
功率：44W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：66pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJPF11N65-BP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：901pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG30N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：44W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：66pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT30N06L
工作温度：-55℃~+175℃
功率：44W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：66pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：21nC@10V
类型：1个N沟道
功率：1.8W€8.3W
阈值电压：4V@1mA
输入电容：633pF@25V
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
工作温度：-65℃~+150℃
连续漏极电流：3A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HAT2201WP-EL-E
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：1.45nF@10V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：43mΩ@7.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HAT2201WP-EL-E
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：1.45nF@10V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：43mΩ@7.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJPF11N65-BP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：901pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJPF11N65A-BP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@10V，3.5A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG30N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：44W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：66pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG30N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：44W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：66pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：46W€2.1W
阈值电压：3.3V@20μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：1.5nF@30V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
