采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD413A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1125pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：44mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：51.7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD413A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1125pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：44mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3Q-13
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功率：3.1W
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栅极电荷：21nC@10V
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输入电容：1477pF@50V
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类型：N沟道
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漏源电压：100V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3Q-13
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输入电容：1477pF@50V
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：AOD413A
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连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：44mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：AOD413A
工作温度：-55℃~175℃
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输入电容：1125pF@20V
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类型：P沟道
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漏源电压：40V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：51.7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3Q-13
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输入电容：1477pF@50V
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类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AOD413A
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ECCN：EAR99
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输入电容：1125pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：44mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
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类型：P沟道
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分类：Mosfet场效应管
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输入电容：1125pF@20V
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类型：P沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：51.7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：AOD413A
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行业应用：工业,汽车
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功率：3.1W
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连续漏极电流：51.7A
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