采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€44W
阈值电压：2.3V@300µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R703NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€44W
阈值电压：2.3V@300µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R703NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：21337，"17+"：1500}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1345-H
工作温度：150℃
功率：1W€35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1020pF@20V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：275mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：21337，"17+"：1500}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1345-H
工作温度：150℃
功率：1W€35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1020pF@20V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：275mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R703NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€44W
阈值电压：2.3V@300µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8005ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：散装
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.08Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R703NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R703NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€44W
阈值电压：2.3V@300µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€44W
阈值电压：2.3V@300µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€44W
阈值电压：2.3V@300µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R703NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€44W
阈值电压：2.3V@300µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R703NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€44W
阈值电压：2.3V@300µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R703NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R703NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：942}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1345-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W€35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@20V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：275mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R703NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R703NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R703NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8005ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：散装
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.08Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€44W
阈值电压：2.3V@300µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€44W
阈值电压：2.3V@300µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8005ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：散装
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.08Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R203NL，L1Q
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
功率：1.6W€44W
输入电容：2100pF@15V
导通电阻：3.2mΩ@23.5A，10V
栅极电荷：21nC@10V
阈值电压：2.3V@300µA
连续漏极电流：47A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8005ANX
工作温度：150℃
连续漏极电流：5A
功率：40W
类型：N沟道
栅极电荷：21nC@10V
阈值电压：5V@1mA
漏源电压：800V
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：485pF@25V
导通电阻：2.08Ω@2.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
