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    栅极电荷: 2.1nC@4.5V
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH103,215 起订数100个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH103,215 起订数100个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:540mW

    阈值电压:400mV@1mA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    输入电容:83pF@24V

    连续漏极电流:850mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:500mΩ@2.5V,500mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH103,215 起订数1000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH103,215 起订数1000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:540mW

    阈值电压:400mV@1mA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    输入电容:83pF@24V

    连续漏极电流:850mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:500mΩ@2.5V,500mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH103,215 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH103,215 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH103,215

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:540mW

    阈值电压:400mV@1mA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@24V

    连续漏极电流:850mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:500mΩ@2.5V,500mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2200UDW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2200UDW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:450mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:184pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:2个P沟道

    导通电阻:260mΩ@4.5V,880mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ950UPELYL 起订数100个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ950UPELYL 起订数100个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ950UPELYL 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ950UPELYL 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ950UPELYL

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ950UPELYL 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ950UPELYL 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ950UPELYL

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ950UPELYL 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ950UPELYL 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ950UPELYL

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订数30000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订数30000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:301mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    输入电容:156pF@5V

    连续漏极电流:760mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:360mΩ@4.5V,350mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订数9000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订数9000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:301mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    输入电容:156pF@5V

    连续漏极电流:760mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:360mΩ@4.5V,350mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订数21000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订数21000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:301mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    输入电容:156pF@5V

    连续漏极电流:760mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:360mΩ@4.5V,350mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订数75000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订数75000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:301mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    输入电容:156pF@5V

    连续漏极电流:760mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:360mΩ@4.5V,350mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ950UPELYL 起订30个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ950UPELYL 起订30个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ950UPELYL

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订数30000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订数30000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    连续漏极电流:760mA

    功率:301mW

    工作温度:-55℃~+150℃

    漏源电压:20V

    输入电容:156pF@5V

    阈值电压:1.2V@250μA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:360mΩ@4.5V,350mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ950UPELYL 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ950UPELYL 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ950UPELYL

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    阈值电压:950mV@250μA

    功率:360mW€2.7W

    工作温度:-55℃~+150℃

    漏源电压:20V

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH103,215 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH103,215 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH103,215

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    导通电阻:500mΩ@2.5V,500mA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    类型:1个N沟道

    连续漏极电流:850mA

    功率:540mW

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:400mV@1mA

    输入电容:83pF@24V

    包装清单:商品主体 * 1

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