品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM110P04-04L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€375W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11200pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM110P04-04L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€375W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11200pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM100P10-19L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14100pF@25V
连续漏极电流:93A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM110P04-04L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€375W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11200pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH060N80-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:4.5V@5.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14685pF@100V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@29A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM110P04-04L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€375W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11200pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":2267,"MI+":425}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTY100N10G
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10110pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM100P10-19L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14100pF@25V
连续漏极电流:93A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH060N80-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:4.5V@5.8mA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14685pF@100V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@29A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH060N80-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:4.5V@5.8mA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14685pF@100V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@29A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM100P10-19L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14100pF@25V
连续漏极电流:93A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH060N80-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:4.5V@5.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14685pF@100V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@29A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":2267,"MI+":425}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTY100N10G
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10110pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STY112N65M5
工作温度:150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:管件
输入电容:16870pF@100V
连续漏极电流:96A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@47A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM110P04-04L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€375W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11200pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM100P10-19L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14100pF@25V
连续漏极电流:93A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFB70N100X
工作温度:-55℃~150℃
功率:1785W
阈值电压:6V@8mA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9160pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:89mΩ@35A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM100P10-19L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14100pF@25V
连续漏极电流:93A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM110P04-04L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€375W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11200pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM100P10-19L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14100pF@25V
连续漏极电流:93A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM110P04-04L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€375W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11200pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":2267,"MI+":425}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTY100N10G
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10110pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH060N80-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:4.5V@5.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14685pF@100V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@29A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":2267,"MI+":425}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTY100N10G
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10110pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM100P10-19L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14100pF@25V
连续漏极电流:93A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":2267,"MI+":425}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTY100N10G
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10110pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM110P04-04L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€375W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11200pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM110P04-04L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€375W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11200pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":2267,"MI+":425}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTY100N10G
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10110pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM100P10-19L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14100pF@25V
连续漏极电流:93A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: