品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO301SPHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5890pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R1-40BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9710pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO080P03SHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.79W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5890pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R1-40BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9710pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO080P03SHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.79W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5890pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO301SPHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5890pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO301SPHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5890pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO080P03SHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.79W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5890pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO080P03SHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.79W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5890pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB2500L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€375W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6460pF@75V
连续漏极电流:11.5A€152A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO080P03SHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.79W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5890pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R1-40BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9710pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO080P03SHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.79W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5890pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO080P03SHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.79W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5890pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R1-40BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9710pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5000,"24+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5A140PLZT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@20V
连续漏极电流:20A€140A
类型:P沟道
导通电阻:4.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5A140PLZT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@20V
连续漏极电流:20A€140A
类型:P沟道
导通电阻:4.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5000,"24+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5A140PLZT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@20V
连续漏极电流:20A€140A
类型:P沟道
导通电阻:4.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5A140PLZT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@20V
连续漏极电流:20A€140A
类型:P沟道
导通电阻:4.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5000,"24+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5A140PLZT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@20V
连续漏极电流:20A€140A
类型:P沟道
导通电阻:4.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO080P03SHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.79W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5890pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO080P03SHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.79W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5890pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":141,"20+":98,"21+":1705}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO301SPHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5890pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO080P03SHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.79W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5890pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO080P03SHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.79W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5890pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO301SPHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5890pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO301SPHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5890pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO080P03SHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.79W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5890pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO080P03SHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.79W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5890pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R1-40BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9710pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: