品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6L020ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2744pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.04mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6L020ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2744pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.04mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G110ATTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2750pF@20V
连续漏极电流:11A€35A
类型:P沟道
导通电阻:12.4mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G110ATTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2750pF@20V
连续漏极电流:11A€35A
类型:P沟道
导通电阻:12.4mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G110ATTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2750pF@20V
连续漏极电流:11A€35A
类型:P沟道
导通电阻:12.4mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6L020ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2744pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.04mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6L020ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2744pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.04mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G110ATTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2750pF@20V
连续漏极电流:11A€35A
类型:P沟道
导通电阻:12.4mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":84104,"24+":11206}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6L020ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2744pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.04mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6L020ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@32µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2744pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.04mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6L020ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2744pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.04mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":84104,"24+":11206}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6L020ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2744pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.04mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6L020ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@32µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2744pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.04mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6L020ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@32µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2744pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.04mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G110ATTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2750pF@20V
连续漏极电流:11A€35A
类型:P沟道
导通电阻:12.4mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6L020ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2744pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.04mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G110ATTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2750pF@20V
连续漏极电流:11A€35A
类型:P沟道
导通电阻:12.4mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G110ATTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2750pF@20V
连续漏极电流:11A€35A
类型:P沟道
导通电阻:12.4mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G110ATTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2750pF@20V
连续漏极电流:11A€35A
类型:P沟道
导通电阻:12.4mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G110ATTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2750pF@20V
连续漏极电流:11A€35A
类型:P沟道
导通电阻:12.4mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: