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    栅极电荷: 46nC@10V
    类型: P沟道
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    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2045pF@15V

    连续漏极电流:8.5A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2045pF@15V

    连续漏极电流:8.5A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM64P03XTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM64P03XTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM64P03XTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:825pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2045pF@15V

    连续漏极电流:8.5A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2045pF@15V

    连续漏极电流:8.5A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G110ATTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G110ATTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G110ATTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2750pF@20V

    连续漏极电流:11A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.4mΩ@11A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G110ATTB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G110ATTB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G110ATTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2750pF@20V

    连续漏极电流:11A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.4mΩ@11A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2045pF@15V

    连续漏极电流:8.5A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2045pF@15V

    连续漏极电流:8.5A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2045pF@15V

    连续漏极电流:8.5A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2045pF@15V

    连续漏极电流:8.5A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM64P03XTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM64P03XTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM64P03XTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:825pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2045pF@15V

    连续漏极电流:8.5A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":24035,"24+":21000,"MI+":2911}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2045pF@15V

    连续漏极电流:8.5A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G110ATTB 起订20个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G110ATTB 起订20个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G110ATTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2750pF@20V

    连续漏极电流:11A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.4mΩ@11A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA32P05T 起订100个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA32P05T 起订100个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTA32P05T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1975pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G110ATTB 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G110ATTB 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G110ATTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2750pF@20V

    连续漏极电流:11A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.4mΩ@11A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM64P03XTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM64P03XTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM64P03XTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:825pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2045pF@15V

    连续漏极电流:8.5A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2045pF@15V

    连续漏极电流:8.5A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2045pF@15V

    连续漏极电流:8.5A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ-F126 起订1172个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ-F126 起订1172个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4776}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ-F126

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2045pF@15V

    连续漏极电流:8.5A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP28P065T 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP28P065T 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP28P065T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2030pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@14A,10V

    漏源电压:65V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订333个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订333个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":24035,"24+":21000,"MI+":2911}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2045pF@15V

    连续漏极电流:8.5A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA6676PZ 起订938个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA6676PZ 起订938个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2723728,"MI+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA6676PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2160pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G110ATTB 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G110ATTB 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G110ATTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2750pF@20V

    连续漏极电流:11A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.4mΩ@11A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM64P03XTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM64P03XTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM64P03XTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:825pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2045pF@15V

    连续漏极电流:8.5A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2045pF@15V

    连续漏极电流:8.5A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2045pF@15V

    连续漏极电流:8.5A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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