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    栅极电荷: 46nC@10V
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    当前匹配商品:200+
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN012-100YSFX 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN012-100YSFX 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN012-100YSFX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@50V

    连续漏极电流:65A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76429S3ST 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76429S3ST 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF76429S3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@47A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9409-F085 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9409-F085 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9409-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3130pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H818NWFT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H818NWFT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H818NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€136W

    阈值电压:4V@190µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@40V

    连续漏极电流:20A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86369-F085 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86369-F085 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86369-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2470pF@40V

    连续漏极电流:65A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@65A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9409-F085 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9409-F085 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9409-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3130pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6L020ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6L020ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N04S6L020ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@32µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2744pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.04mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ34GPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ34GPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIZ34GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6L020ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6L020ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N04S6L020ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@32µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2744pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.04mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUFA76429D3ST-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUFA76429D3ST-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":620,"21+":186,"22+":4476}

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUFA76429D3ST-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86369-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86369-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86369-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2470pF@40V

    连续漏极电流:65A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@65A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86369-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86369-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86369-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2470pF@40V

    连续漏极电流:65A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@65A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H818NWFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H818NWFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H818NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€136W

    阈值电压:4V@190µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@40V

    连续漏极电流:20A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H818NWFT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H818NWFT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H818NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€136W

    阈值电压:4V@190µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@40V

    连续漏极电流:20A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H818NT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H818NT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6H818NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€136W

    阈值电压:4V@190µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@40V

    连续漏极电流:20A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ34PBF-BE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ34PBF-BE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ34PBF-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H818NT1G 起订750个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H818NT1G 起订750个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H818NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€136W

    阈值电压:4V@190µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@40V

    连续漏极电流:20A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76429S3ST 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76429S3ST 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF76429S3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@47A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y8R7-60EX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y8R7-60EX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y8R7-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3159pF@25V

    连续漏极电流:87A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H818NWFT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H818NWFT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H818NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€136W

    阈值电压:4V@190µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@40V

    连续漏极电流:20A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30YLDX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30YLDX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R0-30YLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:142W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2969pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76629D3ST 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76629D3ST 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF76629D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1285pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ34GPBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ34GPBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIZ34GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFZ46ZSTRLPBF 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFZ46ZSTRLPBF 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":3616,"23+":3200}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ46ZSTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:82W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1460pF@25V

    连续漏极电流:51A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.6mΩ@31A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76629D3ST 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76629D3ST 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF76629D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1285pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9409-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9409-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9409-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3130pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86369-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86369-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86369-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2470pF@40V

    连续漏极电流:65A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@65A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    AOS Mosfet场效应管 AOD464 起订1250个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD464 起订1250个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD464

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.3W€100W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2445pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@20A,10V

    漏源电压:105V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y8R7-60EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y8R7-60EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y8R7-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3159pF@25V

    连续漏极电流:87A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD9409-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9409-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9409-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3130pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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