采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R1-30YLEX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：192W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：46nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：265A
类型：MOSFET
导通电阻：1.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4407
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：46nC
输入电容：1.78nF
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：8mΩ@10V，12.0A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ES4407
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：46nC
输入电容：1.78nF
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：9.5mΩ@10V.12A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AP30P30Q-ES
功率：30W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：46nC
输入电容：1.78nF
连续漏极电流：39A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：8mΩ@10V，12A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4407
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：46nC
输入电容：1.78nF
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：8mΩ@10V，12.0A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AO4407
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：46nC
输入电容：1.78nF
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：8mΩ@10V，12.0A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
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规格型号(MPN)：PSMN1R1-30YLEX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：192W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：46nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：265A
类型：MOSFET
导通电阻：1.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ES4407
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：46nC
输入电容：1.78nF
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：9.5mΩ@10V.12A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN7409
功率：30W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：46nC
输入电容：1.78nF
连续漏极电流：39A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：8mΩ@10V，12A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
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行业应用：工业,汽车
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功率：30W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：46nC
输入电容：1.78nF
连续漏极电流：39A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：8mΩ@10V，12A
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AO4407
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：46nC
输入电容：1.78nF
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：8mΩ@10V，12.0A
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：AP30P30Q-ES
功率：30W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：46nC
输入电容：1.78nF
连续漏极电流：39A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：8mΩ@10V，12A
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功率：30W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：46nC
输入电容：1.78nF
连续漏极电流：39A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：8mΩ@10V，12A
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输入电容：1.78nF
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：8mΩ@10V，12.0A
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功率：30W
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栅极电荷：46nC
输入电容：1.78nF
连续漏极电流：39A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：8mΩ@10V，12A
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行业应用：工业,汽车
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功率：30W
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栅极电荷：46nC
输入电容：1.78nF
连续漏极电流：39A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：8mΩ@10V，12A
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4407
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：46nC
输入电容：1.78nF
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：8mΩ@10V，12.0A
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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功率：3.1W
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栅极电荷：46nC
输入电容：1.78nF
连续漏极电流：12A
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4407
功率：3.1W
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栅极电荷：46nC
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连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：8mΩ@10V，12.0A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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