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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB22N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB22N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB22N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1920pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R150CFDATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R150CFDATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R150CFDATMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:195.3W

    阈值电压:4.5V@900µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@100V

    连续漏极电流:22.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP25N50E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP25N50E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP25N50E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1980pF@100V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@12A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG22N60E-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG22N60E-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG22N60E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1920pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C410NT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C410NT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C410NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€166W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:46A€300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.92mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG25N50E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG25N50E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG25N50E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1980pF@100V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@12A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R150CFDATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R150CFDATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R150CFDATMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:195.3W

    阈值电压:4.5V@900µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@100V

    连续漏极电流:22.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP220N25NFDAKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP220N25NFDAKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP220N25NFDAKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@270µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7076pF@125V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@61A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8638 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8638 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8638

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5680pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C410NT3G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C410NT3G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C410NT3G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€166W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:46A€300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.92mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP200N25N3GXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP200N25N3GXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP200N25N3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@270µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7100pF@100V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@64A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB120N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5605pF@25V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@74A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW65R150CFDAFKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW65R150CFDAFKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):240psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW65R150CFDAFKSA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:195.3W

    阈值电压:4.5V@900µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2340pF@100V

    连续漏极电流:22.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R150CFDAATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R150CFDAATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R150CFDAATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:195.3W

    阈值电压:4.5V@900µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@100V

    连续漏极电流:22.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R150CFDATMA2 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R150CFDATMA2 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R150CFDATMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:195.3W

    阈值电压:4.5V@900µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@100V

    连续漏极电流:22.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLH6224TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLH6224TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLH6224TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€52W

    阈值电压:1.1V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3710pF@10V

    连续漏极电流:28A€105A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R150CFDATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R150CFDATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R150CFDATMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:195.3W

    阈值电压:4.5V@900µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@100V

    连续漏极电流:22.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04CL 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04CL 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04CL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:50A€316A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.87mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1010EZPBF 起订48个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1010EZPBF 起订48个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF1010EZPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:140W

    阈值电压:4V@100µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2810pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@51A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF1010EZS 起订122个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF1010EZS 起订122个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":412}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRF1010EZS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:140W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2810pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@51A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL65R165CFDAUMA1 起订141个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL65R165CFDAUMA1 起订141个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1250}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL65R165CFDAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:195W

    阈值电压:4.5V@900µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@100V

    连续漏极电流:21.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFGQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFGQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3008SFGQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3690pF@10V

    连续漏极电流:17.6A€62A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB120N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5605pF@25V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@74A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D1N04CTXG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D1N04CTXG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS1D1N04CTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.7W€153W

    阈值电压:4V@210µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5410pF@25V

    连续漏极电流:48.8A€277A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB200N25N3GATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB200N25N3GATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB200N25N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@270µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7100pF@100V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@64A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA25N50E-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA25N50E-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA25N50E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1980pF@100V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@12A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP120N10 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP120N10 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":800,"9999":48}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP120N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5605pF@25V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@74A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB200N25N3GATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB200N25N3GATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB200N25N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@270µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7100pF@100V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@64A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFG-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFG-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3008SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3690pF@10V

    连续漏极电流:17.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C410NT3G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C410NT3G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C410NT3G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€166W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:46A€300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.92mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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