采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16325Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@12.5V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：5572}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16325Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@12.5V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16325Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@12.5V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16325Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@12.5V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：5572}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16325Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@12.5V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16325Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@12.5V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16325Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@12.5V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16325Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@12.5V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16325Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@12.5V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16325Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@12.5V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16325Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@12.5V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16325Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@12.5V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16325Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@12.5V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16325Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@12.5V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16325Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@12.5V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16325Q5
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@12.5V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
类型：N沟道
漏源电压：25V
阈值电压：1.4V@250µA
导通电阻：2mΩ@30A，8V
连续漏极电流：33A€100A
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16325Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@12.5V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16325Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@12.5V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16325Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@12.5V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：5572}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16325Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@12.5V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：5572}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16325Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@12.5V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16325Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@12.5V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16325Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@12.5V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16325Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@12.5V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
