采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17301Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.55V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@15V
连续漏极电流：28A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0349DSP-00#J0
工作温度：150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3850pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"1E+"：20000，"1F+"：20000，"1G+"：27500，"1H+"：7500，"1J+"：10000，"1K+"：27500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0349DPA-01#J0B
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
输入电容：3.85nF@10V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4874BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"1E+"：20000，"1F+"：20000，"1G+"：27500，"1H+"：7500，"1J+"：10000，"1K+"：27500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0349DPA-01#J0B
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
输入电容：3.85nF@10V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2557pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2557pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4874BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17301Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.55V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@15V
连续漏极电流：28A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2557pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17301Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.55V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@15V
连续漏极电流：28A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17301Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.55V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@15V
连续漏极电流：28A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17301Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.55V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@15V
连续漏极电流：28A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2557pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2557pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4874BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4874BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"1E+"：20000，"1F+"：20000，"1G+"：27500，"1H+"：7500，"1J+"：10000，"1K+"：27500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0349DPA-01#J0B
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
输入电容：3.85nF@10V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：276，"13+"：70}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17301Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.55V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@15V
连续漏极电流：28A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17301Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.55V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@15V
连续漏极电流：28A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17301Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.55V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@15V
连续漏极电流：28A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17301Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.55V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@15V
连续漏极电流：28A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"1E+"：20000，"1F+"：20000，"1G+"：27500，"1H+"：7500，"1J+"：10000，"1K+"：27500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0349DPA-01#J0B
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
输入电容：3.85nF@10V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2557pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2557pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4874BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4874BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17301Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.55V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@15V
连续漏极电流：28A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2557pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17301Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.55V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@15V
连续漏极电流：28A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
