品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"20+":1591}
包装规格(MPQ):160psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRG4PC30FPBF
ECCN:EAR99
包装方式:散装
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:200ns
关断损耗:1.18mJ
开启延迟时间:21ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:51nC
集电极电流(Ic):1.8V@15V,17A
导通损耗:230µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"18+":324}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRG4BC30F-SPBF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:200ns
关断损耗:1.18mJ
开启延迟时间:21ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:51nC
集电极电流(Ic):1.8V@15V,17A
导通损耗:230µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"20+":1591}
包装规格(MPQ):160psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRG4PC30FPBF
ECCN:EAR99
包装方式:散装
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:200ns
关断损耗:1.18mJ
开启延迟时间:21ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:51nC
集电极电流(Ic):1.8V@15V,17A
导通损耗:230µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC120N12LSGATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:114W
阈值电压:1.85V
栅极电荷:51nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:68A
类型:MOSFET
导通电阻:12mΩ
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC120N12LSGATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:114W
阈值电压:1.85V
栅极电荷:51nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:68A
类型:MOSFET
导通电阻:12mΩ
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R065S7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:167W
阈值电压:3.5V
栅极电荷:51nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:8A
类型:MOSFET
导通电阻:65mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C065080B3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:115W
阈值电压:4V
栅极电荷:51nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:100mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C065080B3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:115W
阈值电压:4V
栅极电荷:51nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:100mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB068N60EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC
包装方式:管件
连续漏极电流:41A
类型:MOSFET
导通电阻:68mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC120N12LSGATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:114W
阈值电压:1.85V
栅极电荷:51nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:68A
类型:MOSFET
导通电阻:12mΩ
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD403
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:51nC
输入电容:2.89nF
连续漏极电流:15A
类型:1个P沟道
反向传输电容:470pF
导通电阻:8mΩ@10V,10A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD403
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:51nC
输入电容:2.89nF
连续漏极电流:15A
类型:1个P沟道
反向传输电容:470pF
导通电阻:8mΩ@10V,10A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"20+":1591}
包装规格(MPQ):160psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRG4PC30FPBF
ECCN:EAR99
包装方式:散装
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:200ns
关断损耗:1.18mJ
开启延迟时间:21ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:51nC
集电极电流(Ic):1.8V@15V,17A
导通损耗:230µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXGP20N120B3
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):80A
关断延迟时间:150ns
关断损耗:560µJ
开启延迟时间:16ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:51nC
类型:PT
集电极电流(Ic):3.1V@15V,16A
导通损耗:920µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXGP20N120B3
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):80A
关断延迟时间:150ns
关断损耗:560µJ
开启延迟时间:16ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:51nC
类型:PT
集电极电流(Ic):3.1V@15V,16A
导通损耗:920µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXGP20N120B3
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):80A
关断延迟时间:150ns
关断损耗:560µJ
开启延迟时间:16ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:51nC
类型:PT
集电极电流(Ic):3.1V@15V,16A
导通损耗:920µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXGP20N120B3
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):80A
关断延迟时间:150ns
关断损耗:560µJ
开启延迟时间:16ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:51nC
类型:PT
集电极电流(Ic):3.1V@15V,16A
导通损耗:920µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXGP20N120B3
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):80A
关断延迟时间:150ns
关断损耗:560µJ
开启延迟时间:16ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:51nC
类型:PT
集电极电流(Ic):3.1V@15V,16A
导通损耗:920µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C065080B3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:115W
阈值电压:4V
栅极电荷:51nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:100mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB068N60EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC
包装方式:管件
连续漏极电流:41A
类型:MOSFET
导通电阻:68mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC120N12LSGATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:114W
阈值电压:1.85V
栅极电荷:51nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:68A
类型:MOSFET
导通电阻:12mΩ
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC120N12LSGATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:114W
阈值电压:1.85V
栅极电荷:51nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:68A
类型:MOSFET
导通电阻:12mΩ
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C065040T3S
工作温度:-55℃~+175℃
功率:326W
阈值电压:4V
栅极电荷:51nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:54A
类型:MOSFET
导通电阻:52mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):UF3C065040T3S
连续漏极电流:54A
阈值电压:4V
功率:326W
包装方式:Tube
漏源电压:650V
栅极电荷:51nC
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:52mΩ
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):IRG4BC30FDSTRRP
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:230ns
反向恢复时间:42ns
关断损耗:1.39mJ
开启延迟时间:42ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:51nC
集电极电流(Ic):1.8V@15V,17A
导通损耗:630µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
包装规格(MPQ):160psc
生产批次:{"20+":1591}
规格型号(MPN):IRG4PC30FPBF
集电极电流(Ic):1.8V@15V,17A
开启延迟时间:21ns
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装方式:散装
集电极截止电流(Ices):600V
关断损耗:1.18mJ
ECCN:EAR99
关断延迟时间:200ns
栅极电荷:51nC
集电极脉冲电流(Icm):120A
导通损耗:230µJ
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IXGP20N120B3
关断损耗:560µJ
集电极电流(Ic):3.1V@15V,16A
开启延迟时间:16ns
工作温度:-55℃ ~ 150℃
类型:PT
集电极截止电流(Ices):1200V
集电极脉冲电流(Icm):80A
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC
导通损耗:920µJ
关断延迟时间:150ns
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXGP20N120B3
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):80A
关断延迟时间:150ns
关断损耗:560µJ
开启延迟时间:16ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:51nC
类型:PT
集电极电流(Ic):3.1V@15V,16A
导通损耗:920µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C065040T3S
工作温度:-55℃~+175℃
功率:326W
阈值电压:4V
栅极电荷:51nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:54A
类型:MOSFET
导通电阻:52mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD403
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:51nC
输入电容:2.89nF
连续漏极电流:15A
类型:1个P沟道
反向传输电容:470pF
导通电阻:8mΩ@10V,10A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: