采购热线 400-661-9010
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU20P10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8321L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€40W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@20V
连续漏极电流：22A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8020
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€65W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@15V
连续漏极电流：26A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N04NSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：4V@49µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@20V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N04NSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：4V@49µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@20V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N04NSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：4V@49µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@20V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8321L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€40W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@20V
连续漏极电流：22A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS10ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€56.8W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3030pF@20V
连续漏极电流：31.7A€109A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8020
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€65W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@15V
连续漏极电流：26A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS10ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€56.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3030pF@20V
连续漏极电流：31.7A€109A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU20P10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS10ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€56.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3030pF@20V
连续漏极电流：31.7A€109A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8020
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€65W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@15V
连续漏极电流：26A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N04NSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：4V@49µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@20V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7473TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3180pF@25V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@4.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8020
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€65W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@15V
连续漏极电流：26A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJA58ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€56.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3030pF@20V
连续漏极电流：32.3A€109A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：5939}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7473TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3180pF@25V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@4.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJA58ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€56.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3030pF@20V
连续漏极电流：32.3A€109A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB44N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：307W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2870pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@22A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N04NSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：4V@49µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@20V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N04NSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：4V@49µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@20V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8020
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€65W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@15V
连续漏极电流：26A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N04NSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：4V@49µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@20V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8321L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€40W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@20V
连续漏极电流：22A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8020
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€65W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@15V
连续漏极电流：26A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
