采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R190C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：151W
阈值电压：3.5V@630µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH080N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：184W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2557pF@100V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ456EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3342pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86263P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3905pF@75V
连续漏极电流：4.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H615NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€139W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4860pF@30V
连续漏极电流：28A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@49A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6637
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€57W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@20V
连续漏极电流：13A€55A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.6mΩ@10V，14A
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP60N04VUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€105W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.85mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ601-ZK-E1-AZ
工作温度：150℃
功率：1W€65W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR5305TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：31A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF740STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFR5305TR
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：31A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3407DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5305STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：31A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86263P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3905pF@75V
连续漏极电流：4.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18511Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.45V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@10V
连续漏极电流：159A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@24A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR5305TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：31A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255ET150
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4480pF@75V
连续漏极电流：10A€63A
类型：N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18511Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.45V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@10V
连续漏极电流：159A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@24A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5305STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：31A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1833
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€94W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6637
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€57W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@20V
连续漏极电流：13A€55A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.6mΩ@10V，14A
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6637
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€57W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@20V
连续漏极电流：13A€55A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.6mΩ@10V，14A
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD380P06NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：38mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R190C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：151W
阈值电压：3.5V@630µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4470
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.659nF@20V
连续漏极电流：12.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，12.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2D8N025S
工作温度：-55℃~150℃
功率：47W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4615pF@13V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@28A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
