品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:131W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3776pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:131W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3776pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:131W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3776pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:131W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3776pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:131W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3776pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:131W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3776pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
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连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:131W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3776pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1441,"23+":3786}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR8401TRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
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栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.25mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:131W
阈值电压:4V@1mA
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:131W
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:131W
阈值电压:4V@1mA
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输入电容:3776pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:131W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115
包装方式:卷带(TR)
功率:131W
输入电容:3776pF@12V
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
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阈值电压:4V@1mA
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115
包装方式:卷带(TR)
功率:131W
输入电容:3776pF@12V
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
栅极电荷:63nC@10V
阈值电压:4V@1mA
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:63nC@10V
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功率:1.6W
导通电阻:4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:131W
阈值电压:4V@1mA
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栅极电荷:63nC@10V
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:131W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3776pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:131W
阈值电压:4V@1mA
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连续漏极电流:100A
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:131W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3776pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:131W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3776pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR8401TRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:3.9V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.25mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR8401TRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:3.9V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.25mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:131W
阈值电压:4V@1mA
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连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10V,25A
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:131W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3776pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1441,"23+":3786}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR8401TRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:3.9V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.25mΩ@60A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存: