采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20A60W5，S5VX
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20V60W5，LVQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF42N60M2-EP
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2370pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：87mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF42N60M2-EP
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2370pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：87mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW42N60M2-EP
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2370pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：87mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF42N60M2-EP
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2370pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：87mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20V60W5，LVQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJ1L08CGNTLL
工作温度：150℃
功率：96W
阈值电压：2.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP113-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：29.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP113-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：29.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW42N60M2-EP
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2370pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：87mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP113-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：29.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP113-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：29.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJ1L08CGNTLL
工作温度：150℃
功率：96W
阈值电压：2.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJ1L08CGNTLL
工作温度：150℃
功率：96W
阈值电压：2.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20V60W5，LVQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD201N10TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20V60W5，LVQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJ1L08CGNTLL
工作温度：150℃
功率：96W
阈值电压：2.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
