采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP140N6F7
工作温度：175℃
功率：158W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF140N6F7
工作温度：175℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD140N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：134W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4421
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@30V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4421
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@30V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD140N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：134W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4421
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@30V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA04EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP140N6F7
工作温度：175℃
功率：158W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RX3L07BGNC16
功率：96W
阈值电压：2.5V@50μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.6nF@30V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJ1L08CGNTLL
工作温度：150℃
功率：96W
阈值电压：2.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP113-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：29.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP113-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：29.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP113-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：29.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP113-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：29.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJ1L08CGNTLL
工作温度：150℃
功率：96W
阈值电压：2.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJ1L08CGNTLL
工作温度：150℃
功率：96W
阈值电压：2.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RX3L07BGNC16
功率：96W
阈值电压：2.5V@50μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.6nF@30V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4421
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@30V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP140N6F7
工作温度：175℃
功率：158W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJ1L08CGNTLL
工作温度：150℃
功率：96W
阈值电压：2.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJ1L08CGNTLL
工作温度：150℃
功率：96W
阈值电压：2.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4421
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@30V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RX3L07BGNC16
功率：96W
阈值电压：2.5V@50μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.6nF@30V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP113-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：29.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA04EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA04EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD140N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：134W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA04EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4421
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@30V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
