采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P03P4L11ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：2V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3770pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GSGP03150
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3372pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@75A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P03P4L11ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：2V@85µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3770pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R2-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：141W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3310pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.15mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GSGP03150
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3372pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@75A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P03P4L11ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：2V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3770pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@15V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P03P4L11ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：2V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3770pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R2-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：141W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3310pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.15mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4177PR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@24V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@11.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R2-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：141W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3310pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.15mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4177PR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@24V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@11.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4177PR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@24V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@11.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4177PR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@24V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@11.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：707，"13+"：266，"9999"：500，"17+"：65}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP45P03P4L11AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：2V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3770pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：P沟道
导通电阻：11.1mΩ@45A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC042N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€57W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@15V
连续漏极电流：17A€93A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC042N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€57W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@15V
连续漏极电流：17A€93A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P03P4L11ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：2V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3770pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC042N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€57W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@15V
连续漏极电流：17A€93A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P03P4L11ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：2V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3770pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC042N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€57W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@15V
连续漏极电流：17A€93A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@15V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：340，"22+"：2415，"23+"：107398，"24+"：2099，"MI+"：16015}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P03P4L11ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：2V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3770pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GSGP03150
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3372pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@75A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GSGP03150
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3372pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@75A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GSGP03150
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3372pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@75A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@15V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
