品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ36P15P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA36P15P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA36P15P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP36P15P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP36P15P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ36P15P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P04SDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP36P15P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ36P15P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P04SDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P04SDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA36P15P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P04SDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P04SDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP36P15P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P04SDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ36P15P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P04SDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P04SDG-E1-AY
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
导通电阻:17mΩ@18A,10V
工作温度:175℃
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
功率:1.2W€56W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA36P15P
阈值电压:4.5V@250µA
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
输入电容:3100pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
导通电阻:110mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
栅极电荷:55nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ36P15P
阈值电压:4.5V@250µA
输入电容:3100pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:110mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
栅极电荷:55nC@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
包装方式:管件
功率:300W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P04SDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P04SDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P04KDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€56W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P04SDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P04KDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€56W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA36P15P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P04KDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€56W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P04KDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€56W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P04KDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€56W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: