采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RX3L07BGNC16
功率：96W
阈值电压：2.5V@50μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.6nF@30V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"1K+"：1337}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2729-E
功率：150W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：3.3nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RX3L07BGNC16
功率：96W
阈值电压：2.5V@50μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.6nF@30V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP086N10N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：3.98nF@50V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.6mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT30N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：70W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.55nF@25V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
反向传输电容：205pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，12A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RX3L07BGNC16
功率：96W
阈值电压：2.5V@50μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.6nF@30V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP086N10N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：3.98nF@50V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.6mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RX3L07BGNC16
功率：96W
阈值电压：2.5V@50μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.6nF@30V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RX3L07BGNC16
功率：96W
阈值电压：2.5V@50μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.6nF@30V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RX3L07BGNC16
功率：96W
阈值电压：2.5V@50μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.6nF@30V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：107W€2.5W
阈值电压：2V@51μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：3.9nF@20V
连续漏极电流：205A€31A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.35mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RX3L07BGNC16
功率：96W
阈值电压：2.5V@50μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.6nF@30V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：107W€2.5W
阈值电压：2V@51μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：3.9nF@20V
连续漏极电流：205A€31A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.35mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"1K+"：1337}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2729-E
功率：150W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：3.3nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG30N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：70W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.55nF@25V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
反向传输电容：205pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，12A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RX3L07BGNC16
阈值电压：2.5V@50μA
输入电容：2.6nF@30V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：70A
导通电阻：7.2mΩ@70A，10V
功率：96W
漏源电压：60V
栅极电荷：55nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"1K+"：1337}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2729-E
功率：150W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：3.3nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP086N10N3G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：3.98nF@50V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.6mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP086N10N3G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：3.98nF@50V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.6mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20N60W5，S1VF
功率：165W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@300V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RX3L07BGNC16
功率：96W
阈值电压：2.5V@50μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.6nF@30V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"1K+"：1337}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2729-E
功率：150W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：3.3nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RX3L07BGNC16
功率：96W
阈值电压：2.5V@50μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.6nF@30V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RX3L07BGNC16
功率：96W
阈值电压：2.5V@50μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.6nF@30V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"1K+"：1337}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2729-E
功率：150W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：3.3nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"1K+"：1337}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2729-E
功率：150W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：3.3nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：156W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：1.8nF@300V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540N
工作温度：-55℃~+175℃
功率：70W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.55nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：205pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，12A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG30N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：70W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.55nF@25V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
反向传输电容：205pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，12A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP086N10N3G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：3.98nF@50V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.6mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
