采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP140N6F7
工作温度：175℃
功率：158W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF140N6F7
工作温度：175℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R104PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.14mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R104PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
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漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R104PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.14mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH1R104PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.14mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP140N6F7
工作温度：175℃
功率：158W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：STP140N6F7
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包装方式：管件
输入电容：3100pF@10V
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类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
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规格型号(MPN)：STP140N6F7
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功率：158W
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包装方式：管件
输入电容：3100pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
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规格型号(MPN)：STF140N6F7
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功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@35A，10V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R104PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.14mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
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功率：158W
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连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
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规格型号(MPN)：STP140N6F7
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功率：158W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
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连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：STP140N6F7
工作温度：175℃
功率：158W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
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连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH1R104PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.14mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：STP140N6F7
工作温度：175℃
功率：158W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STP140N6F7
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：158W
栅极电荷：55nC@10V
工作温度：175℃
包装方式：管件
输入电容：3100pF@10V
阈值电压：4V@250µA
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库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STP140N6F7
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：158W
栅极电荷：55nC@10V
工作温度：175℃
包装方式：管件
输入电容：3100pF@10V
阈值电压：4V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R104PB，L1XHQ
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
漏源电压：40V
类型：N沟道
导通电阻：1.14mΩ@60A，10V
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功率：960mW€132W
连续漏极电流：120A
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@500µA
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH1R104PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.14mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH1R104PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.14mΩ@60A，10V
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP140N6F7
工作温度：175℃
功率：158W
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栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@10V
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导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
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工作温度：175℃
功率：158W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP140N6F7
工作温度：175℃
功率：158W
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栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STP140N6F7
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功率：158W
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栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@10V
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类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
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