采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD082N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3980pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD082N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3980pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB083N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3980pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP086N10N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3980pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB083N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3980pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI086N10N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3980pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB083N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3980pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：831}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB083N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3980pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB083N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3980pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB083N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3980pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：831}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB083N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3980pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N004C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD082N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3980pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB083N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3980pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N004C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD082N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3980pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD082N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3980pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD082N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3980pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI086N10N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3980pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI086N10N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3980pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD082N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3980pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD082N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3980pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB083N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3980pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD082N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3980pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：446，"21+"：2708，"22+"：4780，"MI+"：5845}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：446，"21+"：2708，"22+"：4780，"MI+"：5845}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
