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    栅极电荷: 55nC@10V
    工作温度: -55℃~175℃
    行业应用: 工业
    类型: N沟道
    当前匹配商品:500+
    商品信息
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    INFINEON Mosfet场效应管 IQE013N04LM6ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE013N04LM6ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IQE013N04LM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€107W

    阈值电压:2V@51µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@20V

    连续漏极电流:31A€205A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R2-80YS,115 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R2-80YS,115 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R2-80YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@40V

    连续漏极电流:82A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ142ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3015pF@25V

    连续漏极电流:175A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC019N04NM5ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC019N04NM5ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC019N04NM5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€100W

    阈值电压:3.4V@50µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@20V

    连续漏极电流:29A€170A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ860EP-T1_GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ860EP-T1_GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ860EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD082N10N3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD082N10N3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD082N10N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@75µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@73A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE013N04LM6CGATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE013N04LM6CGATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IQE013N04LM6CGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€107W

    阈值电压:2V@51µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@20V

    连续漏极电流:31A€205A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ858AEP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ858AEP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ858AEP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD25NF10T4 起订8个装
    ST Mosfet场效应管 STD25NF10T4 起订8个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD25NF10T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD082N10N3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD082N10N3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD082N10N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@75µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@73A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP111N15N3GXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP111N15N3GXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP111N15N3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:214W

    阈值电压:4V@160µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3230pF@75V

    连续漏极电流:83A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.1mΩ@83A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-30YLC,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-30YLC,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R2-30YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:141W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3310pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.15mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE013N04LM6CGATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE013N04LM6CGATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IQE013N04LM6CGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€107W

    阈值电压:2V@51µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@20V

    连续漏极电流:31A€205A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD20NF10T4 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD20NF10T4 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD20NF10T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB083N10N3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB083N10N3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB083N10N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@75µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.3mΩ@73A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L2R6ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L2R6ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC100N04S5L2R6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2925pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R2-80YS,115 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R2-80YS,115 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R2-80YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@40V

    连续漏极电流:82A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP086N10N3GXKSA1 起订80个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP086N10N3GXKSA1 起订80个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP086N10N3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@75µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3980pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@73A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ142ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3015pF@25V

    连续漏极电流:175A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ860EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ860EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ860EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L2R6ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L2R6ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC100N04S5L2R6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@30µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2925pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ858AEP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ858AEP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ858AEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-30YLC,115 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-30YLC,115 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R2-30YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:141W

    阈值电压:1.95V@1mA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3310pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.15mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.35mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.35mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB083N10N3GATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB083N10N3GATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB083N10N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@75µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.3mΩ@73A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.35mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ST Mosfet场效应管 STD26NF10 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STD26NF10 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD26NF10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.35mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPI086N10N3GXKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI086N10N3GXKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPI086N10N3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@75µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3980pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@73A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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