采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86322
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：13A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.65mΩ@13A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：766}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP170N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@380V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GSGP03150
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3372pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@75A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：12.4A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：12.4A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GSGP03150
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3372pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@75A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@15V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH170N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@380V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP170N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@380V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP72N20X3
工作温度：-55℃~150℃
功率：320W
阈值电压：4.5V@1.5mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3780pF@25V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@36A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：3.5V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：30，"18+"：2700，"22+"：8542}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH170N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@380V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB47N60DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4485
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86322
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：13A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.65mΩ@13A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTQ36P15P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4177PR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@24V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@11.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI47N60DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA36P15P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86322
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：13A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.65mΩ@13A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4177PR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@24V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@11.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA36P15P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4421
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@30V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86322
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：13A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.65mΩ@13A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4421
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@30V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N04LSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：31A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.45mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4177PR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@24V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@11.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
