品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN3018SFG-13
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功率:1W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN3018SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.1V@250µA
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输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN3018SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.1V@250µA
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输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN3018SFG-13
导通电阻:21mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
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类型:N沟道
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:8.5A
栅极电荷:13.2nC@10V
功率:1W
输入电容:697pF@15V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN3018SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
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阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
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阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:13.2nC@10V
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:13.2nC@10V
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
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