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    onsemi IGBT FGH75T65SQDTL4 起订99个装
    onsemi IGBT FGH75T65SQDTL4 起订99个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"22+":9000}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SQDTL4

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):300A

    关断延迟时间:276ns

    反向恢复时间:76ns

    关断损耗:266µJ

    开启延迟时间:44ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:128nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A

    导通损耗:307µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH75T65SQD-F155 起订1个装
    onsemi IGBT FGH75T65SQD-F155 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SQD-F155

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):300A

    反向恢复时间:43ns

    关断损耗:180µJ

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:128nC

    类型:沟槽型场截止

    导通损耗:760µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH75T65SQDT-F155 起订1个装
    onsemi IGBT FGH75T65SQDT-F155 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SQDT-F155

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):300A

    关断延迟时间:120ns

    反向恢复时间:76ns

    关断损耗:70µJ

    开启延迟时间:23ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:128nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A

    导通损耗:300µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON IGBT IKW20N65ET7XKSA1 起订240个装
    INFINEON IGBT IKW20N65ET7XKSA1 起订240个装

    品牌:INFINEON

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IKW20N65ET7XKSA1

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):60A

    关断延迟时间:210ns

    反向恢复时间:70ns

    关断损耗:360µJ

    开启延迟时间:16ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:128nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):1.65V@15V,20A

    导通损耗:360µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH75T65SQD-F155 起订108个装
    onsemi IGBT FGH75T65SQD-F155 起订108个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"22+":126400,"MI+":2250}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SQD-F155

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):300A

    反向恢复时间:43ns

    关断损耗:180µJ

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:128nC

    类型:沟槽型场截止

    导通损耗:760µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH75T65SQDT-F155 起订120个装
    onsemi IGBT FGH75T65SQDT-F155 起订120个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SQDT-F155

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):300A

    关断延迟时间:120ns

    反向恢复时间:76ns

    关断损耗:70µJ

    开启延迟时间:23ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:128nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A

    导通损耗:300µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON IGBT IKW20N65ET7XKSA1 起订10个装
    INFINEON IGBT IKW20N65ET7XKSA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IKW20N65ET7XKSA1

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):60A

    关断延迟时间:210ns

    反向恢复时间:70ns

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    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:128nC

    类型:沟槽型场截止

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    导通损耗:360µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH75T65SQD-F155 起订30个装
    onsemi IGBT FGH75T65SQD-F155 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SQD-F155

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):300A

    反向恢复时间:43ns

    关断损耗:180µJ

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:128nC

    类型:沟槽型场截止

    导通损耗:760µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH75T65SQD-F155 起订1000个装
    onsemi IGBT FGH75T65SQD-F155 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SQD-F155

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):300A

    反向恢复时间:43ns

    关断损耗:180µJ

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:128nC

    类型:沟槽型场截止

    导通损耗:760µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH75T65SQDTL4 起订5000个装
    onsemi IGBT FGH75T65SQDTL4 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"22+":9000}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SQDTL4

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):300A

    关断延迟时间:276ns

    反向恢复时间:76ns

    关断损耗:266µJ

    开启延迟时间:44ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:128nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A

    导通损耗:307µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH75T65SQDT-F155 起订90个装
    onsemi IGBT FGH75T65SQDT-F155 起订90个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SQDT-F155

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):300A

    关断延迟时间:120ns

    反向恢复时间:76ns

    关断损耗:70µJ

    开启延迟时间:23ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:128nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A

    导通损耗:300µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH75T65SQDTL4 起订300个装
    onsemi IGBT FGH75T65SQDTL4 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"22+":9000}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SQDTL4

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):300A

    关断延迟时间:276ns

    反向恢复时间:76ns

    关断损耗:266µJ

    开启延迟时间:44ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:128nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A

    导通损耗:307µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON IGBT IKW20N65ET7XKSA1 起订720个装
    INFINEON IGBT IKW20N65ET7XKSA1 起订720个装

    品牌:INFINEON

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IKW20N65ET7XKSA1

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):60A

    关断延迟时间:210ns

    反向恢复时间:70ns

    关断损耗:360µJ

    开启延迟时间:16ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:128nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):1.65V@15V,20A

    导通损耗:360µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH75T65SQDTL4 起订300个装
    onsemi IGBT FGH75T65SQDTL4 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"21+":343}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SQDTL4

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):300A

    关断延迟时间:276ns

    反向恢复时间:76ns

    关断损耗:266µJ

    开启延迟时间:44ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:128nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A

    导通损耗:307µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS IGBT IXYP60N65A5 起订50个装
    IXYS IGBT IXYP60N65A5 起订50个装

    品牌:IXYS

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXYP60N65A5

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    栅极阈值电压(Vge(th)):1.35V@15V,36A

    关断延迟时间:230ns

    关断损耗:1.45mJ

    开启延迟时间:28ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:128nC

    类型:PT(穿通型)

    导通损耗:0.6mJ

    工作温度:-55℃~+175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON IGBT IKW20N65ET7XKSA1 起订120个装
    INFINEON IGBT IKW20N65ET7XKSA1 起订120个装

    品牌:INFINEON

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IKW20N65ET7XKSA1

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):60A

    关断延迟时间:210ns

    反向恢复时间:70ns

    关断损耗:360µJ

    开启延迟时间:16ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:128nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):1.65V@15V,20A

    导通损耗:360µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH75T65SQD-F155 起订108个装
    onsemi IGBT FGH75T65SQD-F155 起订108个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SQD-F155

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):300A

    反向恢复时间:43ns

    关断损耗:180µJ

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:128nC

    类型:沟槽型场截止

    导通损耗:760µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH75T65SQDT-F155 起订300个装
    onsemi IGBT FGH75T65SQDT-F155 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SQDT-F155

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):300A

    关断延迟时间:120ns

    反向恢复时间:76ns

    关断损耗:70µJ

    开启延迟时间:23ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:128nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A

    导通损耗:300µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH75T65SQDTL4 起订120个装
    onsemi IGBT FGH75T65SQDTL4 起订120个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SQDTL4

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):300A

    关断延迟时间:276ns

    反向恢复时间:76ns

    关断损耗:266µJ

    开启延迟时间:44ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:128nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A

    导通损耗:307µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH75T65SQD-F155 起订5000个装
    onsemi IGBT FGH75T65SQD-F155 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SQD-F155

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):300A

    反向恢复时间:43ns

    关断损耗:180µJ

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:128nC

    类型:沟槽型场截止

    导通损耗:760µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON IGBT IKW20N65ET7XKSA1 起订1个装
    INFINEON IGBT IKW20N65ET7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IKW20N65ET7XKSA1

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):60A

    关断延迟时间:210ns

    反向恢复时间:70ns

    关断损耗:360µJ

    开启延迟时间:16ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:128nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):1.65V@15V,20A

    导通损耗:360µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH75T65SQDT-F155 起订1个装
    onsemi IGBT FGH75T65SQDT-F155 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SQDT-F155

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):300A

    关断延迟时间:120ns

    反向恢复时间:76ns

    关断损耗:70µJ

    开启延迟时间:23ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:128nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A

    导通损耗:300µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH75T65SQD-F155 起订1个装
    onsemi IGBT FGH75T65SQD-F155 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SQD-F155

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):300A

    反向恢复时间:43ns

    关断损耗:180µJ

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:128nC

    类型:沟槽型场截止

    导通损耗:760µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH75T65SQDTL4 起订1个装
    onsemi IGBT FGH75T65SQDTL4 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SQDTL4

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):300A

    关断延迟时间:276ns

    反向恢复时间:76ns

    关断损耗:266µJ

    开启延迟时间:44ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:128nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A

    导通损耗:307µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH75T65SQD-F155 起订1个装
    onsemi IGBT FGH75T65SQD-F155 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SQD-F155

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):300A

    反向恢复时间:43ns

    关断损耗:180µJ

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:128nC

    类型:沟槽型场截止

    导通损耗:760µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH75T65SQDT-F155 起订1个装
    onsemi IGBT FGH75T65SQDT-F155 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SQDT-F155

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):300A

    关断延迟时间:120ns

    反向恢复时间:76ns

    关断损耗:70µJ

    开启延迟时间:23ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:128nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A

    导通损耗:300µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH75T65SQD-F155 起订5000个装
    onsemi IGBT FGH75T65SQD-F155 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"22+":126400,"MI+":2250}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SQD-F155

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):300A

    反向恢复时间:43ns

    关断损耗:180µJ

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:128nC

    类型:沟槽型场截止

    导通损耗:760µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON IGBT IKW20N65ET7XKSA1 起订30个装
    INFINEON IGBT IKW20N65ET7XKSA1 起订30个装

    品牌:INFINEON

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IKW20N65ET7XKSA1

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):60A

    关断延迟时间:210ns

    反向恢复时间:70ns

    关断损耗:360µJ

    开启延迟时间:16ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:128nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):1.65V@15V,20A

    导通损耗:360µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH75T65SQDTL4 起订100个装
    onsemi IGBT FGH75T65SQDTL4 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"22+":9000}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SQDTL4

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):300A

    关断延迟时间:276ns

    反向恢复时间:76ns

    关断损耗:266µJ

    开启延迟时间:44ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:128nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A

    导通损耗:307µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH75T65SQDT-F155 起订30个装
    onsemi IGBT FGH75T65SQDT-F155 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SQDT-F155

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):300A

    关断延迟时间:120ns

    反向恢复时间:76ns

    关断损耗:70µJ

    开启延迟时间:23ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:128nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A

    导通损耗:300µJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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