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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872ADP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872ADP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1286pF@75V

    连续漏极电流:53.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_4GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_4GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD10N30-330H_4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2190pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC050N04LSGATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC050N04LSGATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC050N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€57W

    阈值电压:2V@27µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3700pF@20V

    连续漏极电流:18A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA12CENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA12CENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA12CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872ADP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872ADP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1286pF@75V

    连续漏极电流:53.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC050N04LSGATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC050N04LSGATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC050N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€57W

    阈值电压:2V@27µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3700pF@20V

    连续漏极电流:18A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP103-TL-H 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP103-TL-H 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":2850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP103-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:50W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2430pF@10V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@28A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM033NA04LCR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM033NA04LCR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM033NA04LCR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3130pF@20V

    连续漏极电流:141A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD10N30-330H_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4.4V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2190pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC050N04LSGATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC050N04LSGATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC050N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€57W

    阈值电压:2V@27µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3700pF@20V

    连续漏极电流:18A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA12CENW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA12CENW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA12CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872ADP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872ADP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1286pF@75V

    连续漏极电流:53.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFDF-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFDF-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@6V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMJS1D7N04CTWG 起订450个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMJS1D7N04CTWG 起订450个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":9548,"23+":1225}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMJS1D7N04CTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€106W

    阈值电压:3.5V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3300pF@25V

    连续漏极电流:35A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFDF-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFDF-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@6V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872ADP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872ADP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1286pF@75V

    连续漏极电流:53.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6358 起订6个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6358 起订6个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6358

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€48W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@15V

    连续漏极电流:42A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_4GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_4GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD10N30-330H_4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2190pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3008SFG-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3008SFG-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3008SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@15V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3008SFG-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3008SFG-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3008SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@15V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA12CENW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA12CENW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA12CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD10N30-330H_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2190pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NWFAFT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NWFAFT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C430NWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€106W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3300pF@25V

    连续漏极电流:35A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3008SFG-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3008SFG-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3008SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@15V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD16AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1874pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR9343TRPBF 起订962个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR9343TRPBF 起订962个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2000,"23+":9067,"MI+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR9343TRPBF

    工作温度:-40℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD10N30-330H_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2190pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6644TRPBF 起订4800个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6644TRPBF 起订4800个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF6644TRPBF

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:2.8W€89W

    阈值电压:4.8V@150µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2210pF@25V

    连续漏极电流:10.3A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD16AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1874pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NAFT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NAFT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C430NAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€106W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3300pF@25V

    连续漏极电流:35A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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